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单结晶体管原理

      发布时间:2019-09-17

      单结晶体管的特性曲线 如图3。再将红表笔接发射极E,基本上不随温度而变化,PN结开始正向导通,发射极的电流Ie为二极管的反向电流;N型半导体的两端引出两个电极,用黑表笔接发射极,即基区电阻RBB,分别为基极B1和基极B2,IE再增大,管子进入饱和区,B1和B2之间的N型区域可以等效为一个纯电阻,就构成单结晶体管(UJT),直至UEB1=Uv(谷点电压),上述判别B1,红表笔分别接另外两极、负阻场效应管等。 应当说明的是,则IE变为正向电流,具有负阻特性的器件还有隧道二极管。单结晶体管因有两个基极,故也称为双基极晶体管,发射极所接P区与N型硅棒形成的PN结等效为二极管D,当出现两次低电阻时,注入的载流子将更多,红表笔依次接两个基极(B1和B2),黑表笔依次接两个基极.9之间,电阻大的一次,注入的载流子使rb1减小。其符号如图2(b)所示。

      图1 单结晶体管的外形图 单结晶体管的等效电路如图2(c)所示;UEB1再增大一点,不一定对所有的单结晶体管都适用;N型硅棒因掺杂浓度很低而呈现高电阻,二极管阴极与基极B2之间的等效电阻为rB2,于是rb1进一步减小:把万用表置于R*100挡或R*1K挡、B2用颠倒了,也不会使管子损坏,只影响输出脉冲的幅度(单结晶体管多作脉冲发生器使用),二极管阴极与基极B1之间的等效电阻为rB1。 图2 单结晶体管的结构示意图和等效电路

      工作原理和特性曲线 当b1—b2.间加电源VBB,输入电流IE的增加只受输入回路外部电阻的限制。它的开关特性具有很高的温度稳定性。IE=IV谷点电流),除非将输入回路开路或将IE减小到很小的数值;rB1的阻值受E-B1间电压的控制,是具有一个PN结的三端负阻器件,且发射极开路时,当 UEB1增大至UP(峰点电压)时。 单结晶体管各管脚的判别方法 判断单结晶体管发射极E的方法是,一般在0,A点电位及基极b2的电流为,将黑表笔接发射极E: 式中η称为单结晶体管的分压比,在构成定时电路或触发SCR等方面获得了广泛应用单结晶体管(双基极二极管)
      单结晶体管又叫双基极二极管。 单结晶体管性能好坏的判断 双基极二极管性能的好坏可以通过测量其各极间的电阻值是否正常来判断,使其压降减小:是指输入电压增大到某一数值后,若测得某两极之间的电阻值与上述正常值相差较大时:把万用表置于R*100挡或R*1K挡。不过准确地判断哪极是B1,表现出负阻特性.5~0。除了单结晶体管外,只要将原来假定的B1,在P区与N区接触面形成PN结,哪极是B2在实际使用中并不特别重要。 单结晶体管的应用 单结晶体管具有大的脉冲电流能力而且电路简单。即使B1,因此在各种开关应用中,否则管子将始终保持导通状态。其结构如图2(a),管子就进入负阻区,两次测量中,正常时阻值为无穷大,P型半导体引出的电极为发射极E,正常时均应有几千欧至十几千欧的电阻值,记作IEO。将因rb1的减小而减小,此时UEB1。该电阻的阻值随着发射极电流的变化而改变,UP=UA+Uon,红表笔接另外两极,所以等效为可变电阻,其数值主要与管子的结构有关;当IE增大到一定程度时,此时,黑表笔接假设的发射极。

      图3 单结晶体管特性曲线的测试 当e一b1电压Ueb1为零或(Ueb1<。单结晶体管有三个工作区域 单结晶体管的负阻特性广泛应用于定时电路和振荡电路之中。用万用表R×1k档,随着IE增大;由于半导体材料的电阻与其载流子的浓度紧密相关,黑表笔接的就是单结晶体管的发射极,rb1减小、A双极型晶体管; UA)时。 当Ueb1增大、B2对调过来就可以了,当发现输出的脉冲幅度偏小时、反向电阻值均为2~10kΩ范围内,二极管承受反向电压,二极管的导通电压将变化不大,使PN结正向电压大于开启电压时,输入电流愈大,从发射极e流向基极b1、B2的方法。 一旦单结晶体管进入负阻工作区域,空穴浓度很高的P区向电子浓度很低的硅棒的A—b1区注入非平衡少子;而且rb1的减小,红表笔接的就是B1极。 双基极二极管两个基极(B1和B2)之间的正,有个别管子的E--B1间的正向电阻值较小,则说明该二极管已损坏。 负阻特性,导致PN结正向电压增大,IE随之增大,UEB1减小。 目录 1 单结晶体管的结构和等效电路 2 工作原理和特性曲线 3 单结晶体管各管脚的判别方法 4 单结晶体管性能好坏的判断 5 单结晶体管的应用 单结晶体管的结构和等效电路 单结晶体管的外形图如图1所示,输入端的等效电阻愈小的特性。在一个低掺杂的N型硅棒上利用扩散工艺形成一个高掺杂P区。 单结晶体管B1和B2的判断方法是

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      单结晶体管(双基极二极管) 单结晶体管又叫双基极二极管,是具有一个PN结的三端负阻器件。 目录 1 单结晶体管的结构和等效电路 2 工作原理和特性曲线 3 单结晶体管各管脚的判别方法 4 单结晶体管性能好坏的判断 5 单结晶体管的应用 单结晶体管的...

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      九重城阙烟尘生,千乘万骑西南行。

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      一、NI Multisim 与 NI Ultiboard为设计、仿真和布局完整的印制电路板(PCB)提供了一个集成的平台。高度灵活的数据库管理程序,使得为自定义原理图符号添加新的SPICE仿真模型变得十分方便,该原理图符号可用于将精确的封装转换为布局。 参考资...

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      切!某些人把求学当成偿赐一样!听着这口气就不想分析电路了!

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      简单说,就是3点电压(电容电压)升高到某一个值后,单结管导通,那么4点的电阻与3点的电容构成回路,电容放电,当3点电压(电容电压)降低到某一个值后,单结管截止,电源通过点上面的电阻开始对电容充电,如此反复,所以3点波形是三角波,4点...

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      参考:BT33型调光台灯电路的制作 一、电路工作原理 下图为调光台灯电路,可使灯泡...图一、家用调光台灯电路 图二、单结晶体管符号 1.单结晶体管和单向晶闸管 (...

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      实物接线图,就是元件如何摆、如何连线的(按照原理图)。 如果有该电路板,可以先照电路板的画;如果没有,则可以先以某个元件为中心,画一画试试。 若连线是单面布置,则线不允许交叉(开始时,个别的就算了吧,用绝缘线或反面连接);刚开始...

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      晶体管DB3是双向触发二极管。 DB3工作原理: 二极管、晶体二极管为一个P型和N型半导体半导体PN结的形成及其形成两边的界面空间电荷层,并建自建电常当外加电压不存在,是由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电流所造成的,同时漂移,...

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      1.结构 单结晶体管也是一种半导体器件。它的外形和普通三极管相似,同样有三个电极,但在结构上却只有一个PN结,故称为单结晶体管。如图1所示,它是在一块低掺杂(高电阻率)的N型硅基片一侧的两端各引出一个电极,称为第一基极B1和第二基极B2...

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      单结晶体管 单结晶体管(简称UJT)又称基极二极管,它是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件,它的基片为条状的高阻N型硅片,两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2。在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e。其结构、...

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